单项选择题
A.测量下限较高 B.对样品有几何形状和几何尺寸的要求 C.要求制备符合一定要求的欧姆接触 D.仪器线路比较复杂
用接触法测量半导体单晶电阻率的方法主要有（）A.两探针法B.四探针法C.范德堡法D.扩展电阻法
多项选择题用接触法测量半导体单晶电阻率的方法主要有（）
A.两探针法 B.四探针法 C.范德堡法 D.扩展电阻法
影响半导体单晶电化学腐蚀速度的因素主要有（）A.电极电位B.腐蚀液的成分C.腐蚀处理的温度和搅拌的影响D.缓冲...
多项选择题影响半导体单晶电化学腐蚀速度的因素主要有（）
A.电极电位 B.腐蚀液的成分 C.腐蚀处理的温度和搅拌的影响 D.缓冲剂的影响
陷阱效应对少数载流子寿命测量的影响可以采用（）A.使整个样品加底光照B.将硅单晶加热到50～70℃C.加底光照...
多项选择题陷阱效应对少数载流子寿命测量的影响可以采用（）
A.使整个样品加底光照 B.将硅单晶加热到50～70℃ C.加底光照后用氙灯闪光进行照射 D.将硅单晶加热到60～80℃
