单项选择题
A.n型掺杂区 B.P型掺杂区 C.栅氧化层 D.场氧化层
多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小...
单项选择题多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。
A.二氧化硅 B.氮化硅 C.单晶硅 D.多晶硅
请在下列选项中选出多晶硅化金属的英文简称：（）。A.Oxide B.Nitride C.Silicide ...
单项选择题请在下列选项中选出多晶硅化金属的英文简称：（）。
请在下列选项中选出硅化金属的英文简称：（）。A.Oxide B.Nitride C.Silicide D...
单项选择题请在下列选项中选出硅化金属的英文简称：（）。
