单项选择题
A.样品足够厚时，非平衡载流子从注入面到背光面边扩散边复合，按指数规律衰减B.样品非常薄时，非平衡载流子边扩散边复合到达样品另一端C.样品非常薄时，非平衡载流子在样品内呈线性分布D.样品非常薄时，非平衡载流子来不及复合就扩散到了样品的另一端
关于“光注入”，以下说法错误的是（）A.入射光子能量必须大于等于半导体的禁带宽度B.受到入射能量的激发，价带电...
单项选择题关于“光注入”，以下说法错误的是（）
A.入射光子能量必须大于等于半导体的禁带宽度B.受到入射能量的激发，价带电子跃迁到导带，产生非平衡载流子C.非平衡电子和空穴成对产生D.只要用光照射半导体材料，就可以产生非平衡载流子
随着温度的升高，非简并n型半导体电导率的变化过程为（）A.先减小（考虑晶格振动散射），后增大（考虑本征激发），...
单项选择题随着温度的升高，非简并n型半导体电导率的变化过程为（）
A.先减小（考虑晶格振动散射），后增大（考虑本征激发），再减小（考虑晶格振动散射）B.先增大（晶格振动散射），后减小（考虑杂质电离和电离杂质散射），再增大（考虑本征激发）C.先增大（考虑杂质电离和电离杂质散射），后减小（考虑晶格振动散射），再增大（考虑本征激发）D.先增大（考虑杂质电离和晶格振动散射），后减小（考虑晶格振动散射），再增大（考虑本征激发）
关于强电离区，以下说法正确的是（）A.本征激发的影响不可忽略B.本征激发的影响可以忽略C.载流子浓度随温度升高...
单项选择题关于强电离区，以下说法正确的是（）
A.本征激发的影响不可忽略B.本征激发的影响可以忽略C.载流子浓度随温度升高按指数规律变化D.费米能级不随温度变化
