多项选择题
A.设备简单B.不受固溶度限制C.避免高温过程D.杂质纯度高
A.形成PN结B.改变材料的电阻率C.改变材料的某些特性D.形成一定的杂质分布
A.砷化镓B.二氧化硅C.氮化硅D.多晶硅
A.衬底背面用高纯硅或二氧化硅覆盖B.用两步外延法C.低压外延法D.降低外延生长温度
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