多项选择题
A.砷化镓B.二氧化硅C.氮化硅D.多晶硅
A.衬底背面用高纯硅或二氧化硅覆盖B.用两步外延法C.低压外延法D.降低外延生长温度
A.真空蒸镀B.等离子体C.溅射D.二氧化硅
A.薄膜成分可控B.速度优于PVDC.黏附性好D.纯度高
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