单项选择题
A.最低掺杂剂量B.临界剂量C.损伤剂量D.掺杂剂量
A.CuB.PC.AgD.Au
A.有效栅宽变窄B.电流减少C.电容增加D.电阻增大
A.选择合适的掩蔽膜B.在氧化前，将窗口处的硅腐蚀掉深度，再进行局部氧化C.退火D.高压氧化工艺
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