单项选择题

理想MIS（p型半导体衬底）结构中，高频C-V特性在强反型区与低频C-V特性不同的原因是高频条件下（）。

A.半导体表面附近的空穴数量变化跟不上信号变化
B.半导体表面附近的电子数量变化跟不上信号变化
C.半导体发生了深耗尽
D.半导体表面附近的电子不能产生

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单项选择题

A.不利于抑制发射极电流集边效应，有利于抑制Early效应
B.有利于抑制发射极电流集边效应和Early效应
C.不利于抑制发射极电流集边效应和Early效应
D.有利于抑制发射极电流集边效应，不利于抑制Early效应

单项选择题

A.发射区过高掺杂会使发射区禁带宽度减小
B.发射区过高掺杂易诱发基区穿通
C.发射区过高掺杂会使发射区迁移率降低
D.发射区过高掺杂易发生基区大注入效应

单项选择题

A.该复合电流影响对两种管子影响大小无法确定
B.该复合电流影响对两种管子同样大
C.该复合电流影响对硅管大，对锗管小
D.该复合电流影响对锗管大，对硅管小