（）不利于增加增强型NMOSFET的阈值电压。

A.半导体表面附近的空穴数量变化跟不上信号变化
B.半导体表面附近的电子数量变化跟不上信号变化
C.半导体发生了深耗尽
D.半导体表面附近的电子不能产生

A.不利于抑制发射极电流集边效应，有利于抑制Early效应
B.有利于抑制发射极电流集边效应和Early效应
C.不利于抑制发射极电流集边效应和Early效应
D.有利于抑制发射极电流集边效应，不利于抑制Early效应

A.发射区过高掺杂会使发射区禁带宽度减小
B.发射区过高掺杂易诱发基区穿通
C.发射区过高掺杂会使发射区迁移率降低
D.发射区过高掺杂易发生基区大注入效应