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全部科目 > 大学试题 > 工学 > 电子与通信技术 > 集成电路技术 > 集成电路技术综合练习

多项选择题

对第一只晶体管描述正确的是（）。

A.是1947年Bell实验室发明的
B.是Ge（锗）晶体管
C.是Si（硅）晶体管
D.是1971年Intel发明的

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对摩尔定律描述不正确的是（）。

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B.最小特征尺寸每3年减小50%
C.最小特征尺寸每3年减小70%
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单项选择题
因为离子注入所引起的简单或复杂的缺陷统称为（）。​

A.晶格损伤
B.晶格缺陷
C.晶胞损伤
D.晶胞缺陷
单项选择题
根据扩散源的不同，有三种不同扩散工艺，以下不是的是（）。‍

A.固态源扩散
B.液态源扩散
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