多项选择题
A.屏蔽层B.栅氧化层C.牺牲层D.衬垫层
A.水汽氧化B.干氧氧化C.湿氧氧化D.化学气相淀积
直拉法制备硅单晶的工艺步骤顺序是（）。A.引晶（下种）B.放肩C.收尾D.收颈E.等径生长
A.ADBECB.ABCDEC.ACBDED.ABDEC
A.化学抛光B.机械抛光C.化学机械抛光D.CMP
微信扫一扫,加关注免费搜题
