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问答题
计算题
设空穴浓度是线性分布，在3us内浓度差为10
15
cm
-3
，u
p
=400cm
2
/（V∙s）。试计算空穴扩散电流密度。
【参考答案】
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相关考题
问答题
室温下，p型半导体中的电子寿命为τ=350us，电子的迁移率u
n
=3600cm
-2
/（V∙s）。试求电子的扩散长度。
问答题
在掺杂浓度N
D
=10
16
cm
-3
，少数载流子寿命为10us的n型硅中，如果由于外界作用，少数载流子全部被清除，那么在这种情况下，电子-空穴对的产生率是多大？（E
t
=E
i
）。
问答题
在n=p的半导体区域，这里n>>n
i0
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