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问答题
计算题
室温下，p型半导体中的电子寿命为τ=350us，电子的迁移率u
n
=3600cm
-2
/（V∙s）。试求电子的扩散长度。
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问答题
在掺杂浓度N
D
=10
16
cm
-3
，少数载流子寿命为10us的n型硅中，如果由于外界作用，少数载流子全部被清除，那么在这种情况下，电子-空穴对的产生率是多大？（E
t
=E
i
）。
问答题
在n=p的半导体区域，这里n>>n
i0
问答题
在只有少数载流子别耗尽（例如，p
n
<
n0，而n
n
=n
n0
）的半导体区域。
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