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单项选择题

N型硅衬底的MOS结构，当其栅极施加（）偏压时，半导体表面附近会形成一层（）层。

A.正，电子积累
B.负，电子积累
C.正，空穴反型层
D.正，电子反型层

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单项选择题
一个以N-Si为衬底的理想MOS结构中，其阈值电压应该是（）的，积累状态时所加的栅电压应该是（）的

A.正，正
B.正，负
C.负，正
D.负，负
单项选择题
P-Sub的理想MOS结构衬底的费米势应该是（）的；强反型时，其空间电荷区中的电荷应该是（）的

A.正，正
B.正，负
C.负，正
D.负，负
单项选择题
不影响MOS管阈值电压的参数有（）

A.栅氧厚度
B.衬底浓度
C.源漏区的长度
D.有效表面态电荷
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