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单项选择题
一个以N-Si为衬底的理想MOS结构中，其阈值电压应该是（）的，积累状态时所加的栅电压应该是（）的
A.正，正
B.正，负
C.负，正
D.负，负
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相关考题
单项选择题
P-Sub的理想MOS结构衬底的费米势应该是（）的；强反型时，其空间电荷区中的电荷应该是（）的
A.正，正
B.正，负
C.负，正
D.负，负
单项选择题
不影响MOS管阈值电压的参数有（）
A.栅氧厚度
B.衬底浓度
C.源漏区的长度
D.有效表面态电荷
单项选择题
关于双极型晶体管（BJT）的基区，基区宽度越（），载流子传输过程中的损失越小，基区浓度越（），载流子传输过程中的损失越大
A.大，高
B.大，低
C.小，高
D.小，低
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