蒸镀制膜主要包括的物理阶段有（）

A.可以直接观察晶体的生长状况，为控制晶体外形提供了有利条件
B.晶体在熔体的自由表面处生长，能够显著减小晶体的应力
C.可以得到不同取向的单晶体，降低位错密度
D.能够以较快的速度生长较高质量的晶体

A.没有破坏性相变
B.较低的蒸气压
C.同成分熔化
D.纯元素

A.光滑界面是以不连续的方式生长。
B.光滑界面的生长又称为侧向生长。
C.粗糙界面的生长能连续地生长
D.粗糙界面的生长又称为层状生长