多项选择题
A.沉积温度B.反应气体的比例C.基体材料D.压强
A.淀积材料蒸发或升华为气态B.原子从蒸发源输运到基片C.蒸气粒子在基片上沉积D.粒子在基片表面重排凝结成膜
A.可以直接观察晶体的生长状况，为控制晶体外形提供了有利条件B.晶体在熔体的自由表面处生长，能够显著减小晶体的应力C.可以得到不同取向的单晶体，降低位错密度D.能够以较快的速度生长较高质量的晶体
A.没有破坏性相变B.较低的蒸气压C.同成分熔化D.纯元素
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