单项选择题
A.平滑处理B.部分平坦化C.局部平坦化D.全局平坦化
A.与硅片表面材料反应，变成可溶物质或一些硬度过高的物质变化B.向抛光垫施加压力C.将反应生成物从硅片表面去除D.清洗硅片
A.38-50℃B.20-50℃C.20-30℃D.20-38℃
A.磨角染色法B.扩展电阻法C.阳极氧化剥离法D.扩散剥离法
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