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判断题
多晶硅的晶向多样，因此位错腐蚀坑一般显示为圆形或椭圆形。
【参考答案】
正确
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判断题
纯净的晶界也具有电活性，会影响多晶硅的电学性能。
单项选择题
PCD方法可用于测量（）。
A.少子寿命
B.电阻率
C.曲翘度
D.平整度
单项选择题
最常用于测试半导体材料电阻率的方法是（）。
A.四探针法
B.范德堡法
C.扩展电阻法
D.两探针法
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