单项选择题
A.IONB.阈值电压C.漏结扩散势D.IOFF
A.k3B.1C.k2D.k
A.缩短沟道长度B.减小沟道宽度C.提高衬底掺杂浓度D.减小氧化层厚度
A.靠近栅极界面的电荷比靠近 半导体界面的电荷影响更大B.无法确定C.靠近栅极界面的电荷与靠近 半导体界面的电荷的影响相同D.靠近 半导体界面的电荷比靠近栅极界面的电荷影响更大
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