欢迎来到牛牛题库网牛牛题库官网

注册

全部科目 > 大学试题 > 工学 > 电子与通信技术 > 半导体物理

单项选择题

衬源短接的增强型NMOSFET，V_DS>0正常开启时，衬底表面电势最低点出现在（）。

A.漏区
B.沟道区靠近漏区一侧
C.沟道区靠近源区一侧
D.源区

点击查看答案&解析

上一题目录下一题

相关考题

单项选择题

‍在MOS缩微中，下列参数（）最易按缩微因子成比例改变。

A.I_ON
B.阈值电压
C.漏结扩散势
D.I_OFF

单项选择题

‍在恒定电压缩微中，如果新器件几何尺寸缩小至原器件的1/k（k>1），则功耗密度为原器件的（）倍。

A.k³
B.1
C.k²
D.k

单项选择题

‌（）会使亚阈值摆幅变小。‏

A.缩短沟道长度
B.减小沟道宽度
C.提高衬底掺杂浓度
D.减小氧化层厚度

微信小程序免费搜题

All Rights Reserved 版权所有©牛牛题库网(nntiku.com)

备案号：湘ICP备2022003000号-1

关注
顶部

微信扫一扫,加关注免费搜题

微信扫一扫,加关注免费搜题