单项选择题
一个理想的MOS电容器，p型Si衬底的掺杂浓度为NA=1.5×1015cm-3。当氧化层厚度为0.1μm时，阈值电压为1.1V，则当氧化层厚度为0.2μm时的阈值电压为（）V。
A.0.55
B.2.2
C.2.8
D.1.6
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单项选择题
A.0.55
B.2.2
C.2.8
D.1.6
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