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单项选择题

半导体表面达到强反型以后，随外加电压的增加，耗尽层宽度（）。

A.增加
B.无法判断
C.减小
D.不变

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单项选择题
‌对n型衬底MIS结构而言，当绝缘层中存在正电荷时，其高频C-V特性曲线将（）。

A.无法判断
B.向负偏压方向平行移动
C.向正偏压方向平行移动
D.不变
单项选择题
MIS结构的表面发生强反型时，其表面的导电类型与体材料的（），若增加掺杂浓度，其开启电压将（）。

A.相同、减小
B.相同、增加
C.不同、增加
D.不同、减小
单项选择题
设在金属与n型半导体之间加一电压，且n-Si接高电位，金属接低电位，使半导体表面层内出现耗尽状态。若表面势Vs=0.4V；外加电压为5V，施主浓度ND=1016cm-3，则耗尽层厚度约为（）。

A.93μm
B.73μm
C.63μm
D.83μm
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