多项选择题
抑制离子注入过程中的沟道效应的措施有()。
A、偏转注入或倾斜硅片
B、在衬底表面制作掩膜氧化薄层(非结晶材料),使入射离子进入硅晶体前无序化
C、提高离子注入的速度
D、衬底的预非晶化处理(破坏表面结晶层)
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多项选择题
A、偏转注入或倾斜硅片
B、在衬底表面制作掩膜氧化薄层(非结晶材料),使入射离子进入硅晶体前无序化
C、提高离子注入的速度
D、衬底的预非晶化处理(破坏表面结晶层)