离子注入是一种灵活的工艺，必须满足严格的芯片设计和生产要求，其两个重要参数是()和()。

A、偏转注入或倾斜硅片
B、在衬底表面制作掩膜氧化薄层(非结晶材料)，使入射离子进入硅晶体前无序化
C、提高离子注入的速度
D、衬底的预非晶化处理(破坏表面结晶层)

A、颂圣
B、讽刺建都之非
C、兴亡之思考
D、高启自由精神的表达