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半导体材料
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问答题
计算题
T=300K，n型硅衬底杂质浓度为N
D
=10
16
cm
-3
，计算肖特基势垒高度Φ
B0
、半导体侧的接触电势差V
bi
、空间电荷区厚度W。
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相关考题
问答题
在N
A
=10
15
cm
-3
的p型硅<111>衬底上，氧化层厚度为70nm，SiO
2
层等效电荷面密度为3×10
11
cm
-2
，计算MOSFET的阈值电压。
问答题
已知n沟道MOSFET的沟道长度L=10μm，沟道宽度W=400μm，栅氧化层厚度t
ax
=150nm，阈值电压V
T
=3V，衬底杂质浓度N
A
=9×10
14
cm
-3
，求栅极电压等于7V时的漏源饱和电流。在此条件下，V
DS
等于几伏时漏端沟道开始夹断？计算中取μ
n
=600cm
2
/（V·s）。
问答题
简述p沟道MOSFET的工作原理。
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