欢迎来到牛牛题库网
牛牛题库官网
登录
注册
首页
经济师考试
会计职称考试
统计师考试
审计师考试
保险考试
全部科目
>
大学试题
>
理学
>
物理学
>
材料物理性能
>
半导体材料
搜题找答案
问答题
简答题
简述p沟道MOSFET的工作原理。
【参考答案】
点击查看答案
上一题
目录
下一题
相关考题
问答题
简要说明JFET的工作原理。
问答题
晶体管穿通后的特性如何变化？某晶体管的基区杂质浓度N
B
=10
19
cm
-3
，集电区的杂质浓度N
C
=5×10
15
cm
-3
，基区的宽度W
B
=0.3μm，集电区宽度W
C
=10μm，求晶体管的击穿电压。
问答题
硅晶体管的标称耗散功率为20W，总热阻为5℃/W，满负荷条件下允许的最高环境温度是多少？（硅T
jm
=200℃，锗T
jm
=100℃）
关注
顶部
微信扫一扫,加关注免费搜题
