多项选择题
A.提高掺杂浓度B.提高温度C.采用迁移率高的半导体材料D.采用禁带宽度窄的半导体材料
A.大于B.等于C.小于D.无法比较
A.电离杂质散射为主B.晶格散射为主C.本征激发起主要作用D.杂质完全电离
A.含硼1×1015cm-3、磷2×1015cm-3的硅B.含硼2×1015cm-3、磷1×1015cm-3的硅C.含硼2×1015cm-3、磷2×1015cm-3的硅D.本征硅
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