单项选择题
A.内部缺陷处的漏磁通,比同样大小的表面缺陷为大 B.缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比 C.表面缺陷的漏磁通密度,随着离开表面距离的增加而急剧减弱 D.用有限线圈磁化长的试件,不需进行分段磁化
A.磁化的磁场强度与材料的导磁率 B.缺陷埋藏的深度、方向和形状尺寸 C.缺陷内部的介质 D.A、B和C
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