单项选择题

CZ法的主要流程工艺顺序正确的是（）

A.加料--熔化--缩颈生长--等径生长--放肩生长--收尾
B.加料--熔化--缩颈生长--放肩生长--等径生长--收尾
C.加料--熔化--等径生长-放肩生长--缩颈生长--收尾
D.加料--熔化--等径生长长--缩颈生长--放肩生长--收尾

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单项选择题

A.不需要坩埚
B.避免了容器污染
C.更易获得高纯度硅
D.成本低

多项选择题

A.钝化晶界
B.钝化错位
C.钝化电活性杂质

单项选择题

A.头尾料和锅底料中含有的氧
B.晶体生长过程中硅熔体与石英坩埚作用引入的氧
C.石墨加热器与坩埚反应引入的氧
D.外界空气的进入