单项选择题
A.不需要坩埚 B.避免了容器污染 C.更易获得高纯度硅 D.成本低
A.钝化晶界 B.钝化错位 C.钝化电活性杂质
A.头尾料和锅底料中含有的氧 B.晶体生长过程中硅熔体与石英坩埚作用引入的氧 C.石墨加热器与坩埚反应引入的氧 D.外界空气的进入
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