半导体中的光吸收，根据能带结构的特征，可以分为以下哪几类？（）

A.n+AlGaAs与本征GaAs构成异质结时，在异质结界面处GaAs一侧形成了一个三角形的势阱
B.量子阱中的电子在垂直异质结界面方向上的运动受限，而在与异质结界面平行的二维平面内的运动是自由的
C.把量子阱中的电子称为二维电子气
D.能够对电子（空穴）的运动产生某种约束，使其能量量子化的势场为量子阱

A.异质pn 结的高注入特性是区别同质pn 结的主要特点之一
B.同质pn结具有比异质pn结更大的注入比
C.决定异质pn结注入比的是ΔE_g，通常可获得较大的注入比
D.决定同质pn结注入比的是掺杂浓度，要想获得大的注入比就要求N_D>>N_A

A.利用扩散模型得到的结果是异质pn 结的正向电流随电压按e指数规律增加
B.利用发射模型得到的结果是正向电流随电压按e指数关系增加
C.对于低势垒尖峰形异质结，用隧道模型处理
D.对于低势垒尖峰形异质结，用扩散模型处理