单项选择题

‌已知某NMOS器件的V_t=1V，k′_n（W/L）=1mA/V²，V_A=50V，且工作点电流I_D=0.5mA，则其小信号模型参数g_m=（）mA/V，r_o=（）kΩ。

A.1，100
B.0.5，50
C.1，50
D.2，100

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单项选择题

电路如图所示，要使得晶体管工作在饱和区，且有I_D=0.4mA，V_D=0.5V；已知该NMOS晶体管的V_t=0.7V，L=1µm，W=32µm，k′_n=100μA/V²，忽略沟道长度调制效应，则电阻R_S=（）kΩ，R_D=（）kΩ。

A.5，3.25
B.4，6
C.3，7
D.3.25，5

单项选择题

A.最高，最高
B.最高，最低
C.最低，最高
D.最低，最低

单项选择题

A.1
B.2
C.3
D.4

‌已知某NMOS器件的Vt=1V，k′n（W/L）=1mA/V2，VA=50V，且工作点电流ID=0.5mA，则其小信号模型参数gm=（）mA/V，ro=（）kΩ。