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单项选择题

‌在CMOS集成电路设计中，NMOS的衬底应接在电路的（）电位，PMOS的衬底应接在电路的（）电位。

A.最高，最高
B.最高，最低
C.最低，最高
D.最低，最低

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单项选择题
‌某放大电路在负载开路时，测得输出电压为5V，在输入电压不变的情况下接入3kΩ的负载电阻，输出电压下降到3V，说明该放大电路的输出电阻为（）kΩ。‌

A.1
B.2
C.3
D.4
单项选择题
NEMOSFET饱和区的工作条件为uGS（）Vt，uDS（）uGS-Vt。

A.〉，〈
B.〉，〉
C.〈，〈
D.〈，〉
单项选择题
‍MOSFET中的导电沟道是指其（）‍

A.金属层
B.耗尽层
C.反型层
D.氧化层
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