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问答题
计算题
n型硅中，掺杂浓度ND=10
16
cm
-3
，光注入的非平衡载流子浓度∆n=∆p=10
14
cm
-3
。计算无光照和有光照的电导率。
【参考答案】
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问答题
一块半导体材料的寿命 τ =10us ，光照在材料中会产生非平衡载流子，试求光照突然停止 20us 后， 其中非平衡载流子将衰减到原来的百分之几？
问答题
有一块n型硅样品，寿命是1us，无光照时电阻率是10Ω∙cm。今用光照射该样品，光被半导体均匀的吸收，电子-空穴对的产生率是10
22
cm
-3
∙s
-1
，试计算光照下样品的电阻率，并求电导中少数在流子的贡献占多大比例？
问答题
求出光照下达到稳定状态时的过载流子浓度。
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