欢迎来到牛牛题库网
牛牛题库官网
登录
注册
首页
经济师考试
会计职称考试
统计师考试
审计师考试
保险考试
全部科目
>
大学试题
>
工学
>
电子与通信技术
>
半导体物理
搜题找答案
问答题
案例分析题用强光照射n型样品，假定光被均匀地吸收，产生过剩载流子，产生率为，空穴寿命为τ。
求出光照下达到稳定状态时的过载流子浓度。
【参考答案】
点击查看答案
上一题
目录
下一题
相关考题
问答题
写出光照下过剩载流子所满足的方程
问答题
在一个n型半导体样品中，过剩空穴浓度为10
13
cm
-3
， 空穴的寿命为100us。计算空穴的复合率。已知：
求：U=？
问答题
在忽略界面态影响的情况下，可用什么实验方法测量MIS结构的绝缘层中的可动电荷，说明实验步骤和计算依据。
关注
顶部
微信扫一扫,加关注免费搜题
