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半导体物理
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单项选择题
硅二极管的门坎电压（又叫死区电压）为（）伏。
A.0.7
B.0.5
C.0.2
D.0.1
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问答题
单位时间单位表面积在离表面三个扩散长度中体积内复合的空穴数。
问答题
单位时间单位表面积在表面复合的空穴数。
问答题
一块电阻率为3Ω∙cm的n型硅样品，空穴寿命τ
p
=5us，在其平面形的表面处有稳定的空穴注入，过剩浓度（∆p）=10
13
cm
-3
。计算从这个表面扩散进入半导体内部的空穴电流密度，以及在离表面多远处过剩空穴浓度等于10
12
cm
-3
？
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