问答题
计算题
一块电阻率为3Ω∙cm的n型硅样品，空穴寿命τp=5us，在其平面形的表面处有稳定的空穴注入，过剩浓度（∆p）=1013cm-3。计算从这个表面扩散进入半导体内部的空穴电流密度，以及在离表面多远处过剩空穴浓度等于1012cm-3？
【参考答案】
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