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单项选择题

‏典型实际金半接触（n-Si）的势垒高度约为（）eV。

A.0.3
B.0.1
C.0.6
D.0.9

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Pn结中耗尽区分布规律是（）。

A.重掺杂一侧宽
B.无论轻重，一样宽
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D.轻掺杂一侧宽
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B.低温弱电离区
C.过渡区
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A.无法确定大小关系
B.=
C.<
D.>
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