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单项选择题

Si晶体的导带底等能面是个旋转椭球面。其中，其横向有效质量（）纵向有效质量。

A.无法确定大小关系
B.=
C.<
D.>

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Si晶体的第一布里渊区是个（）体。

A.正菱形12面体
B.球体
C.截角8面体
D.立方体
单项选择题
衬源短接的增强型NMOSFET，VDS>0正常开启时，衬底表面电势最低点出现在（）。

A.漏区
B.沟道区靠近漏区一侧
C.沟道区靠近源区一侧
D.源区
单项选择题
‍在MOS缩微中，下列参数（）最易按缩微因子成比例改变。

A.ION
B.阈值电压
C.漏结扩散势
D.IOFF
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