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单项选择题
对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（）靠近Ei
A. Ec
B. Ev
C. Eg
D. E<sub>F</sub>
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相关考题
单项选择题
在Si材料中掺入P，则引入的杂质能级（）。
A. 在禁带中线处
B. 靠近导带底
C. 靠近价带顶
D. 以上都不是
填空题
在热力学温度零度时，能量比F
F
小的量子态被电子占据的概率为（），当温度大于热力学温度零度时，能量比E
F
小的量子态被电子占据的概率为（）。
填空题
将Si掺杂入GaAs中，若Si取代Ga则起（）杂质作用，若Si取代As则起（）杂质作用。
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