欢迎来到牛牛题库网
牛牛题库官网
登录
注册
首页
经济师考试
会计职称考试
统计师考试
审计师考试
保险考试
全部科目
>
大学试题
>
工学
>
电子与通信技术
>
半导体物理
搜题找答案
单项选择题
在Si材料中掺入P，则引入的杂质能级（）。
A. 在禁带中线处
B. 靠近导带底
C. 靠近价带顶
D. 以上都不是
点击查看答案&解析
上一题
目录
下一题
相关考题
填空题
在热力学温度零度时，能量比F
F
小的量子态被电子占据的概率为（），当温度大于热力学温度零度时，能量比E
F
小的量子态被电子占据的概率为（）。
填空题
将Si掺杂入GaAs中，若Si取代Ga则起（）杂质作用，若Si取代As则起（）杂质作用。
单项选择题
砷化稼的能带结构是（）能隙结构。
A. 直接
B. 间接
关注
顶部
微信扫一扫,加关注免费搜题
