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单项选择题

扩散掺杂，扩散区要比掩膜窗口尺寸（），这是（）效应引起的，它直接影响超大规模集成电路的集成度。

A.大，场助扩散
B.大，横向扩散
C.小，横向扩散
D.大，氧化增强

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判断题
制作一硅晶体管芯片，在最后用热氧化方法制备了一层SiO2作为保护层。
单项选择题
通常掩膜氧化采用的工艺方法为（）

A.干氧
B.干氧-湿氧-干氧
C.掺氯氧化
D.低压氧化
多项选择题
在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中，哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层（）

A.MBE
B.VPE、LPE
C.UHV/CVD
D.SEG、SPE
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