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单项选择题
那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素（）
A、分凝
B、蒸发
C、坩埚污染
D、损坏
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相关考题
单项选择题
正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是（）
A、单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
B、单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
C、单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包
D、单晶生长→整形→蚀刻→抛光→硅片检测→切片→晶片研磨及磨边→打包
单项选择题
直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段？（）
A、3
B、5
C、4
D、2
单项选择题
多晶硅的生产方法主要包含：（）1、SiCl4法2、硅烷法3、流化床法4、西门子改良法5、冶金法6、气液沉淀法7、重掺硅废料提纯法
A、1234
B、123
C、1456
D、4567
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