欢迎来到牛牛题库网
牛牛题库官网
登录
注册
首页
经济师考试
会计职称考试
统计师考试
审计师考试
保险考试
全部科目
>
大学试题
>
理学
>
材料科学
>
工程材料
>
土木工程材料
>
其他材料
搜题找答案
单项选择题
属于晶体缺陷中面缺陷的是（）
A、位错
B、螺旋位错
C、肖特基缺陷
D、层错
点击查看答案&解析
上一题
目录
下一题
相关考题
单项选择题
那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素（）
A、分凝
B、蒸发
C、坩埚污染
D、损坏
单项选择题
正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是（）
A、单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
B、单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
C、单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包
D、单晶生长→整形→蚀刻→抛光→硅片检测→切片→晶片研磨及磨边→打包
单项选择题
直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段？（）
A、3
B、5
C、4
D、2
关注
顶部
微信扫一扫,加关注免费搜题
