在忽略界面态影响的情况下，可用什么实验方法测量MIS结构的绝缘层中的可动电荷，说明实验步骤和计算依据。

掺施主杂质N_D=10¹⁶cm^-3硅样品，少子寿命τ_p=10μs，在均匀光的照射下产生非平衡载流子，其产生率g=10¹⁹/cm³·s，设本征载流子浓度n_i=10¹³cm^-3。
1）分别计算无光照和有光照时的电导率。
2）试计算室温时无光照情况下的费米能级；
3）试计算室温时有光照情况下的费米能级；
4）请图示比较两种情况下的费米能级的不同。

已知锗原子的浓度为4.4×10²²/cm³。
1）温度为300K时，本征锗的电阻率为47Ω·cm，μ_n=3900cm²/V·s，μ_p=1900cm²/V·s。试求本征载流子浓度。
2）若掺入锑杂质，使每个锗原子中有一个杂质原子，计算300K时电子浓度和空穴浓度。
3）若假设杂质全部电离，试求该掺杂锗样品的电阻率。
4）若流过该样品的电流密度为100mA/cm²，求所加的电场强度。