在一个n型半导体样品中，过剩空穴浓度为10¹³cm^-3，空穴的寿命为100us。计算空穴的复合率。已知：

求：U=？

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问答题

在忽略界面态影响的情况下，可用什么实验方法测量MIS结构的绝缘层中的可动电荷，说明实验步骤和计算依据。

问答题

若费米能级E_F=5eV，利用费米函数计算在什么温度下电子占据E=5.5eV能级的几率为1%？计算在该温度下电子分布几率从0.1～0.9所对应的能量区间。

问答题

掺施主杂质N_D=10¹⁶cm^-3硅样品，少子寿命τ_p=10μs，在均匀光的照射下产生非平衡载流子，其产生率g=10¹⁹/cm³·s，设本征载流子浓度n_i=10¹³cm^-3。
1）分别计算无光照和有光照时的电导率。
2）试计算室温时无光照情况下的费米能级；
3）试计算室温时有光照情况下的费米能级；
4）请图示比较两种情况下的费米能级的不同。

在一个n型半导体样品中，过剩空穴浓度为1013cm-3， 空穴的寿命为100us。计算空穴的复合率。已知： 求：U=？

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在一个n型半导体样品中，过剩空穴浓度为10¹³cm^-3，空穴的寿命为100us。计算空穴的复合率。已知：

求：U=？