单项选择题
A.植入 B.沾银 C.剥离 D.烧银
A.减少晶片长度和回沾位置 B.增加晶片长度和回沾位置 C.增加整平位置 D.减少整平位置
A.增加晶片长度和第二行程膜厚 B.调整银膏膜厚设定值 C.校准银膏盘原点 D.减小银膏膜厚设定值
A.25 B.20 C.15 D.10
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