问答题

案例分析题对于室温下硅材料，假设载流子迁移率分别为μ_n=1350cm²/V·s，μ_p=5001350cm²/V·s，且认为不随掺杂而变化。已知q=1.6×10^-19C，本征载流子浓度n_i=10¹⁰cm^-3，硅的原子密度为5×10²²cm^-3，Nc=Nv=10¹⁹cm^-3，k₀T=0.026eV，ln200=5.3。

当在本征硅中掺入百万分之一的砷（As）后，设杂质全部电离，试计算电子浓度和空穴浓度。

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问答题

试计算本征硅的电阻率。

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