问答题
案例分析题对于室温下硅材料，假设载流子迁移率分别为μn=1350cm2/V·s，μp=5001350cm2/V·s，且认为不随掺杂而变化。已知q=1.6×10-19C，本
征载流子浓度ni=1010cm-3，硅的原子密度为5×1022cm-3，Nc=Nv=1019cm-3，k0T=0.026eV，ln200=5.3。
画出问题（2）中杂质半导体的能带图，并确定费米能级相对于EC的位置
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