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全部科目 > 通信电子计算机技能考试 > 集成电路制造工艺员 > 集成电路制造工艺员（三级）

单项选择题

通过分析刻蚀前后刻蚀腔内的成分来判断是否达到终点的终点检测方法是（）

A.发射光谱法
B.干涉测量法
C.质谱分析法
D.椭圆偏振发

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单项选择题
刻蚀氮化硅薄膜时，可以用加热的磷酸进行刻蚀，此时的温度一般设置在（）

A.70～100℃
B.130～150℃
C.150～170℃
D.170～200℃
单项选择题
一般情况下，刻蚀完成后需要进行的操作是（）

A.曝光
B.涂胶
C.去胶
D.显影
多项选择题
最常用的砷化橡的湿法刻蚀腐蚀液包括（）

A.硫酸
B.氢氟酸
C.双氧水
D.去离子水
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